ZnGeP2 Unsere Forschungsgruppe konzentriert sich seit langem auf die Erforschung des Wachstums und der Leistungsoptimierung von Zink-Germanium-Phosphid(ZnGeP2, ZGP)-Kristallen. Durch umfangreiche Studien und technische Innovationen wurden viele technische Hindernisse beim Kristallwachstum überwunden und die horizontalen und vertikalen Wachstumstechniken für hochwertige ZnGeP2-Kristalle erfolgreich gemeistert. Jetzt können wir ZnGep2-Kristalle und -Vorrichtungen mit Standardgrößen und -orientierungen im Massenmaßstab anbieten und wir können auch eine … VORTEILE ● Fortschrittliche polykristalline Synthesetechnologie liefern. ● Fortschrittliche Kristallwachstumstechnologie: Horizontale Methode. ● Fortschrittliche Kristallwachstumstechnologie: Vertikale Methode. ● Ultrafeine Oberflächenbehandlungstechnologie. ● Präzise Orientierungs- und Schneidetechnologien. ● Produktion von Hochleistungsgeräten.



Erfahren Sie mehr


Due to possessing large nonlinear coefficients(d36=75pm/V), wide infrared transparency range(0.75-12um), high thermal conductivity(0.35W/(cm ·K)), high laser damage threshold(2-5L/cm²) and well machining property, ZnGeP2 crystal was called the king of infrared nonlinear optical crystals and is still the best frequency conversion material for high power, tunable infrared laser generation.

Cryslaser can offer high optical quality ZGP crystals with extremely low absorption coefficient α<0.04/cm(at pump wavelengths 2.0-2.1um), which can caused to generate mid-infrared tunable laser with high efficiency through OPO or OPA process.

Specifications

Crystal Structure

Quartet system

Cell Parameters

a=b=54.76nm,c=107.31nm

Size

6x6x15mm 6x8x20mm
It can be customized

Phase match type

Type I or Type II

Direction deviation

≤0.5°

Absorption

≤0.05cm-1 @ 2μm

Flatness

≤λ/6 @632.8nm

Parallelism

≤10"

Perpendicularity

≤5′

Surface quality

20/10(MIL-O-13830A)

Melting point

1027℃

Density

4.18g/cm3

Microhardness

980 ± 80 kg/mm2

Moh's hardness

5.5

Band width

2.34/2.08 eV

Semiconductor type

P

Thermal conductivity

180 mW/(cm·K)

Transmission range

0.76 to 12.0μm

Nonlinear coefficient

d36=75 ± 8 pm/V